芯片产品
- 发布日期：2024-01-10 17:18 点击次数：54
QPD1003
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编号：
772-QPD1003
制造商编号：
QPD1003
制造商：
Qorvo
Qorvo
客户编号:
说明：
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
数据表:
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卷轴和剪切带
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卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
特色产品
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 工作频率: 1.2 GHz to 1.4 GHz 增益: 19.9 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 50 V Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V Id-连续漏极电流: 15 A 输出功率: 540 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C Pd-功率耗散: 370 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: RF-565 封装: Tray 商标: Qorvo 配置: Single 开发套件: QPD1003PCB401 湿度敏感性: Yes 工作温度范围: - 40 C to + 85 C 产品类型: RF JFET Transistors 系列: QPD1003 工厂包装数量: 工厂包装数量: 18 子类别: Transistors Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.8 V 零件号别名: 1131389 单位重量: 104.655 g
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产品合规性
CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8542390000 USHTS: 8542390001 JPHTS: 854239099 TARIC: 8542399000 MXHTS: 8542399901 ECCN: EAR99
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QPD GaN射频晶体管
Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。
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684- Qorvo RFSA2113TR132024-01-10